12月10日，比亞迪在寧波發(fā)布了在車規(guī)級領域具有標桿性意義的IGBT4.0技術，再一次展示出其在電動車領域的領先地位。IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的 “雙芯”，是影響電動車性能的關鍵技術，其成本占整車成本的5%左右。對于電動車而言，IGBT直接控制驅(qū)動系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。得益于在IGBT等核心技術領域的強大實力，比亞迪電動車的超凡性能得以落地并具備持續(xù)迭代升級的能力。
活動現(xiàn)場
比亞迪IGBT4.0晶圓
作為中國第一家實現(xiàn)車規(guī)級IGBT大規(guī)模量產(chǎn)、也是唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企，此次發(fā)布會上，比亞迪還釋放了另一重磅消息：比亞迪已投入巨資布局性能更加優(yōu)異的第三代半導體材料SiC(碳化硅)，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。
